时间：2025/6/24 7:21:41
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CL21C1R8CBANNNC 是一种片式多层陶瓷电容器 (MLCC)，属于 C0G 介质类型。该型号的电容器具有出色的稳定性和低损耗特性，适用于需要高频率和高稳定性的电路环境。
这种电容器的封装形式为 0402 英寸（公制 1005），适合表面贴装技术（SMT）。其主要特点是温度系数极小，在工作温度范围内容量变化可以忽略不计，因此广泛用于滤波、耦合和去耦等应用。
电容值：18pF
额定电压：50V
公差：±5%
尺寸：1.0mm x 0.5mm
介质材料：C0G（NP0）
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装类型：0402英寸（1005公制）
温度系数：0±30ppm/℃
CL21C1R8CBANNNC 的核心特性在于其采用了 C0G 类型的介质材料，这种材料确保了电容器在宽广的工作温度范围内表现出极高的稳定性，同时具备较低的介电损耗。此外，该型号还支持高频应用，因为 C0G 材料在高频下不会显著影响性能。
由于其小型化的封装设计，这款电容器非常适合应用于空间受限的电子设备中，例如智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品。另外，它采用无铅端电极，符合 RoHS 标准，对环境友好。
该型号还具有良好的抗机械应力能力，能够承受焊接过程中的热冲击以及长期使用中的振动和冲击。
CL21C1R8CBANNNC 主要应用于需要高稳定性和低温度漂移特性的场景，如：
1. 高频滤波器电路
2. 振荡器和晶体振荡器回路
3. 射频模块中的匹配网络
4. 数据转换器中的去耦
5. 医疗设备中的精密信号处理
6. 航空航天及军事通信设备中的关键组件
7. 工业控制和自动化系统中的电源管理模块
CL21B1R8KBANNNC
CL21A1R8JBANNNC
GRM155C80J1R8K01
