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GA1206Y823JBBBR31G 发布时间 时间:2025/5/22 16:51:40 查看 阅读:13

GA1206Y823JBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,适合需要高效能和快速开关速度的应用场合。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其设计旨在优化静态和动态性能参数,从而提高整体系统效率并降低功耗。它具有出色的热稳定性和鲁棒性,能够承受较高的电流和电压瞬变。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ
  栅极电荷:17nC
  总电容(Ciss):980pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 优异的热性能,允许更高的功率密度和更小的散热设计。
  4. 强大的雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 小型封装设计,节省PCB空间,同时保持良好的电气性能。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理与保护电路
  5. 汽车电子中的负载开关
  6. 通信设备中的电源管理模块

替代型号

IRFZ44N
  FDP18N10
  STP10NK60Z

GA1206Y823JBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-