CBW322513U101T是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,广泛应用于开关电源、适配器和充电器等领域。它集成了高侧和低侧驱动器以及保护功能,能够在高频条件下提供卓越的效率和性能。
该芯片采用了先进的封装工艺,具有较高的功率密度和热性能,适用于快速充电解决方案和其他需要高效率的电力电子设备。
型号:CBW322513U101T
工作电压:100V
连续电流:2.5A
导通电阻:100mΩ
栅极电荷:15nC
开关频率:最高3MHz
封装形式:QFN-8
工作温度范围:-40℃至+125℃
CBW322513U101T具备以下主要特性:
1. 高效氮化镓(GaN)场效应晶体管技术,提供更高的效率和更小的体积。
2. 内置过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和短路保护(SCP),增强了系统的可靠性。
3. 支持高达3MHz的开关频率,能够显著减小外部无源元件的尺寸。
4. 超低导通电阻设计,有效降低传导损耗。
5. 热增强型QFN-8封装,改善散热性能,提高功率密度。
6. 提供精确的栅极驱动控制,确保稳定的工作状态。
CBW322513U101T适合用于以下应用场景:
1. USB PD快充适配器
2. 消费类电子产品中的小型化电源模块
3. 笔记本电脑及平板电脑充电器
4. LED驱动电源
5. 小型家用电器的开关电源
6. 无线充电器以及其他高频高效的功率转换场景
CWG01T
DBW322513U101T