时间：2025/5/22 16:50:40
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GA1206Y822MXJBR31G 是一款高性能的存储芯片，通常用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片基于先进的工艺制程设计，提供高可靠性和低功耗特性，广泛应用于消费电子、工业控制和网络通信等领域。
这款芯片主要功能是作为非易失性存储器（NAND Flash），支持高速读写操作，并具备强大的纠错能力，从而确保数据的完整性和设备的稳定性。
类型：NAND Flash
容量：128Gb (16GB)
接口：Toggle Mode 2.0
电压：Core Voltage: 1.8V ± 0.1V, I/O Voltage: 1.8V/3.0V
封装：WSON48
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保留时间：超过10年
擦写周期：3000次
GA1206Y822MXJBR31G 采用领先的 NAND Flash 技术，具备以下显著特点：
1. 高性能：支持高达 400MB/s 的顺序读取速度和 200MB/s 的顺序写入速度。
2. 低功耗：在待机模式下功耗极低，非常适合便携式设备。
3. 可靠性：内置 ECC（错误检查与纠正）引擎，能够自动检测并修复数据错误。
4. 小型化封装：使用 WSON48 封装，节省 PCB 空间。
5. 广泛的工作温度范围：适用于各种环境条件下的应用。
6. 长期数据保存能力：即使在断电情况下，也能有效保存数据长达十年以上。
GA1206Y822MXJBR31G 主要应用于对存储容量和性能要求较高的领域，包括但不限于以下方面：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备的数据存储。
2. 固态硬盘（SSD）中的缓存或主存储介质。
3. 工业自动化系统中的程序和数据存储。
4. 网络路由器和交换机的固件存储。
5. 监控摄像头和其他嵌入式系统的记录存储。
6. 游戏主机及其他消费类电子产品的存储扩展模块。
GA1206Y821MXJBR31G, GA1206Y823MXJBR31G
