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GA1206Y822KXJBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:23:00 查看 阅读:3

GA1206Y822KXJBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,从而提高了效率并降低了功耗。
  这款MOSFET为N沟道增强型器件,适合在高频应用中使用。其封装形式和电气特性使其成为工业和消费电子领域的理想选择。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA1206Y822KXJBR31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高整体效率。
  2. 高电流处理能力,适用于大功率应用。
  3. 快速开关性能,适合高频电路设计。
  4. 强大的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 具备良好的静电防护能力,提高了产品的耐用性。
  6. 符合RoHS标准,环保无害。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. 工业逆变器
  4. 电动汽车充电系统
  5. LED驱动器
  6. 消费类电子产品中的高效电源管理
  由于其出色的性能和可靠性,GA1206Y822KXJBR31G成为了许多工程师设计高效率功率转换电路时的首选。

替代型号

IRFZ44N
  STP160N10
  FDP5500

GA1206Y822KXJBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-