GA1206Y822JBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率和高可靠性应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子设备中。
其封装形式和电气性能经过优化,可有效降低功耗并提升系统稳定性,适用于多种工业和商业场景。
型号:GA1206Y822JBBBT31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):31A
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
总功耗(Ptot):175W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
GA1206Y822JBBBT31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著减少导通损耗。
2. 高速开关能力,支持高频应用环境。
3. 强大的电流承载能力,适合大功率场景。
4. 具备出色的热稳定性和抗静电能力 (ESD),确保长期使用中的可靠性。
5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
7. 封装坚固耐用,便于安装和散热设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 消费类电子产品如笔记本适配器、电视等的电源管理部分。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率级组件。
6. 各种需要高效功率处理的场合。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5500
AO3400