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GA1206Y822JBBBT31G 发布时间 时间:2025/5/24 21:48:43 查看 阅读:19

GA1206Y822JBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率和高可靠性应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子设备中。
  其封装形式和电气性能经过优化,可有效降低功耗并提升系统稳定性,适用于多种工业和商业场景。

参数

型号:GA1206Y822JBBBT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):31A
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
  总功耗(Ptot):175W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y822JBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著减少导通损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频应用环境。
  3. 强大的电流承载能力,适合大功率场景。
  4. 具备出色的热稳定性和抗静电能力 (ESD),确保长期使用中的可靠性。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  7. 封装坚固耐用,便于安装和散热设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  4. 消费类电子产品如笔记本适配器、电视等的电源管理部分。
  5. 太阳能逆变器和储能系统的功率级组件。
  6. 各种需要高效功率处理的场合。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP5500
  AO3400

GA1206Y822JBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-