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GA1206Y684JBXBR31G 发布时间 时间:2025/6/28 17:47:34 查看 阅读:5

GA1206Y684JBXBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。其设计目标是为系统设计师提供一种高效、可靠且易于使用的解决方案,以满足现代电子设备对能耗和性能的严格要求。
  该芯片封装形式通常为表面贴装类型,能够适应自动化生产的需求,同时确保良好的电气连接和散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:55nC
  开关速度:超快恢复
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

GA1206Y684JBXBR31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,减少开关损耗并提升动态响应。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 紧凑型封装,便于在空间受限的设计中使用。
  6. 具备出色的抗静电能力和可靠性,适合工业及消费类应用。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器,用于降压或升压电路。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  5. 工业控制设备中的功率管理模块。
  此外,由于其高效的性能表现,GA1206Y684JBXBR31G也适用于绿色能源相关产品,如太阳能逆变器等。

替代型号

IRF7843,
  STP30NF06,
  FDP059N06L

GA1206Y684JBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-