GA1206Y683JXABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为需要高效率和低导通电阻的应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有卓越的电气特性和热性能,适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。其封装形式紧凑,能够有效节省电路板空间,同时具备出色的散热能力。
该芯片属于沟道增强型 MOSFET,通过优化栅极电荷和导通电阻参数,显著提高了系统效率并降低了功耗。
类型:MOSFET
导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ
漏源电压(Vds):60 V
栅源电压(Vgs):±20 V
连续漏极电流(Id):120 A
总功耗:160 W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
输入电容(Ciss):3250 pF
输出电容(Coss):120 pF
反向恢复时间(trr):45 ns
GA1206Y683JXABT31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流能力,可支持大功率应用。
3. 快速开关速度,减少开关损耗。
4. 优化的栅极电荷设计,改善动态性能。
5. 良好的热稳定性,确保在高温环境下长期可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
7. 提供出色的 ESD 保护功能,提高抗干扰能力。
该型号广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. 工业电机驱动
3. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器
4. 太阳能逆变器
5. 不间断电源(UPS)
6. LED 驱动器
7. 各类工业自动化控制系统
GA1206Y683JXABT32G, IRF540N, FDP5500