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GA1206Y683JXABT31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:30:41 查看 阅读:3

GA1206Y683JXABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为需要高效率和低导通电阻的应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有卓越的电气特性和热性能,适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。其封装形式紧凑,能够有效节省电路板空间,同时具备出色的散热能力。
  该芯片属于沟道增强型 MOSFET,通过优化栅极电荷和导通电阻参数,显著提高了系统效率并降低了功耗。

参数

类型:MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ
  漏源电压(Vds):60 V
  栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id):120 A
  总功耗:160 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3
  输入电容(Ciss):3250 pF
  输出电容(Coss):120 pF
  反向恢复时间(trr):45 ns

特性

GA1206Y683JXABT31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,可支持大功率应用。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 优化的栅极电荷设计,改善动态性能。
  5. 良好的热稳定性,确保在高温环境下长期可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  7. 提供出色的 ESD 保护功能,提高抗干扰能力。

应用

该型号广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 工业电机驱动
  3. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器
  4. 太阳能逆变器
  5. 不间断电源(UPS)
  6. LED 驱动器
  7. 各类工业自动化控制系统

替代型号

GA1206Y683JXABT32G, IRF540N, FDP5500

GA1206Y683JXABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-