EL817M-C-F 时间：2025/8/29 15:09:55 阅读：9

EL817M-C-F是一款由Everlight Electronics生产的光电耦合器（光耦），广泛用于电气隔离和信号传输应用。该器件由一个红外发光二极管（LED）和一个光电晶体管组成，能够实现输入与输出电路之间的电隔离，适用于工业自动化、电源管理和通信设备等领域。EL817M-C-F采用DIP-4封装形式，具备良好的稳定性和可靠性，适用于多种电子系统设计。

参数

类型：光电晶体管输出光耦
　　正向电流：70 mA（最大）
　　反向电压：5 V（最大）
　　集电极-发射极电压：30 V（最大）
　　功耗：150 mW
　　电流传输比（CTR）：50% - 600%（取决于型号等级）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　绝缘电压：5000 VRMS
　　封装类型：DIP-4

特性

EL817M-C-F光电耦合器具有多项显著特性，使其在各种电子系统中表现出色。首先，其高绝缘电压（达5000 VRMS）确保了在高压环境中输入与输出电路之间的有效电气隔离，从而保护下游电路免受高压损坏，提高系统的安全性。其次，该器件的电流传输比（CTR）范围较宽，通常在50%至600%之间，这使得其能够适应不同应用场景下的信号传输需求，提供更高的设计灵活性。
　　在电气特性方面，EL817M-C-F的正向电流最高可达70 mA，允许在较高的驱动条件下工作，同时具备良好的热稳定性和长期可靠性。其集电极-发射极电压最大值为30 V，适用于多种中低压控制电路。此外，该器件的功耗较低，仅为150 mW，有助于降低系统整体功耗，适用于对能耗敏感的应用场合。
　　EL817M-C-F采用标准的DIP-4封装，尺寸小巧，便于PCB布局和安装，适用于自动化生产线。其工作温度范围为-55°C至+125°C，存储温度范围为-55°C至+150°C，适应各种恶劣的工业环境，具有良好的耐候性和稳定性。这使得EL817M-C-F特别适用于工业控制、电源转换、测量设备和通信系统等对可靠性要求较高的应用场景。
　　综上所述，EL817M-C-F凭借其高隔离电压、宽CTR范围、低功耗、良好的温度适应性和紧凑的封装设计，成为众多电子系统中实现信号隔离与传输的理想选择。