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GA1206Y683JBXBT31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:20:23 查看 阅读:7

GA1206Y683JBXBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效提升系统效率并降低能耗。
  这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,采用先进的半导体制造工艺制成,确保其在高频工作条件下的稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关时间:ton=12ns, toff=25ns
  结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

GA1206Y683JBXBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低导通损耗,提升整体效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关性能,适用于高频操作环境。
  4. 出色的热稳定性,能够在极端温度范围内正常工作。
  5. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了系统的安全性和可靠性。
  6. 小型化封装设计,便于 PCB 布局和安装。

应用

该芯片适用于多种电力电子场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
  2. 电动车辆 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
  5. 高效照明系统,例如 LED 驱动器。
  6. 其他需要高效功率转换的应用领域。

替代型号

IRF3205, FDP55N06L, AOTF12N60

GA1206Y683JBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-