时间：2025/5/24 21:47:32
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GA1206Y682MBXBR31G 是一款高性能的工业级存储芯片，主要用于数据记录和嵌入式系统中的大容量存储解决方案。该芯片基于 NAND Flash 技术设计，具备高可靠性和长寿命的特点，适用于需要频繁读写操作的应用场景。
其封装形式为 BGA，具有优良的电气性能和机械稳定性，能够在极端温度和恶劣环境下正常工作。此外，该芯片支持多种接口协议，便于与不同类型的主控芯片进行通信。
容量：128GB
接口类型：PCIe NVMe
工作电压：1.8V
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
数据保存时间：超过10年
擦写寿命：3000次
封装形式：BGA
尺寸：20mm x 16mm x 1.2mm
GA1206Y682MBXBR31G 具有以下显著特点：
1. 高密度存储：采用先进的制程工艺，能够在较小的体积内实现大容量存储。
2. 快速读写速度：支持高速数据传输，读取速度高达 900 MB/s，写入速度达到 700 MB/s。
3. 可靠性保障：内置 ECC（Error Correction Code）纠错功能，有效减少数据错误的发生概率。
4. 宽温适应能力：经过严格测试，确保在极端温度条件下依然能够稳定运行。
5. 数据保护机制：支持断电保护技术，避免因意外断电导致的数据丢失。
6. 多种应用场景兼容：不仅适合消费类电子产品，还广泛应用于工业控制、医疗设备和汽车电子等领域。
该芯片适用于以下典型应用场景：
1. 嵌入式系统：如路由器、交换机和其他网络设备中的日志记录和配置存储。
2. 工业自动化：用于 PLC（可编程逻辑控制器）和 HMI（人机界面）设备中的程序存储。
3. 汽车电子：支持车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统的高效数据管理。
4. 医疗设备：例如超声波设备和监护仪中的患者数据存储。
5. 物联网终端：作为边缘计算节点的核心存储组件，满足低功耗和高可靠性需求。
GA1206Y682MBXAR31G, GA1206Y682MBXHR31G
