时间：2025/6/23 19:31:05
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FM21X822K101PXG 是一款由复旦微电子推出的基于铁电存储器（FRAM）技术的非易失性存储芯片。该系列器件以其低功耗、高速写入和高耐久性著称，适合需要频繁数据记录的应用场景。
该芯片采用串行外设接口（SPI），支持标准模式以及快速模式操作，工作电压范围为1.7V至3.6V，能够在工业级温度范围内稳定运行（-40°C至+85°C）。由于其独特的铁电特性，数据可保存超过10年，擦写次数高达10^12次。
容量：256Kb
接口类型：SPI
工作电压：1.7V - 3.6V
工作电流：最大读取电流 3mA
待机电流：小于1μA
数据保留时间：大于10年
擦写耐久性：大于10^12次
封装形式：8引脚SOIC
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
FM21X822K101PXG 的主要特性包括：
1. 非易失性存储功能，无需后备电池即可保持数据完整性。
2. 极高的擦写耐久性，非常适合频繁更新数据的环境。
3. 快速写入能力，不需要额外的写延迟。
4. 低功耗设计，尤其在待机模式下表现出色。
5. 工业级温度范围确保其在各种恶劣环境中的可靠性。
6. SPI 接口兼容多种主控设备，易于集成到现有系统中。
此外，这款芯片还具有抗辐射性能，在特定工业或航天领域应用中有独特优势。
该型号的 FRAM 存储芯片广泛应用于以下领域：
1. 数据日志记录：如电力仪表、医疗设备、工业控制器等需要频繁记录关键数据的场合。
2. 实时数据保护：例如 POS 系统、消费类电子产品中要求即时存储信息的场景。
3. 替代 EEPROM 和闪存：在对速度、耐用性和功耗有更高要求的情况下，可以作为传统存储器的升级方案。
4. 安全和加密应用：利用其快速写入及非易失性特点，实现密钥存储或安全认证功能。
5. 汽车电子：适用于需要高可靠性和耐久性的车载系统。
FM21X822K101PFG, FM21X822K101PGG
