GA1206Y682KBXBT31G是一款高性能的存储芯片,主要应用于嵌入式系统、消费电子及工业控制领域。该芯片属于闪存系列,具有高可靠性和低功耗的特点,能够满足多种复杂环境下的数据存储需求。
这款芯片采用先进的制程工艺制造,具备快速读写速度和大容量存储能力,广泛用于需要高效数据管理的设备中。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:PCIe Gen3x4
工作电压:1.8V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装形式:BGA
引脚数:169
最大读取速度:500 MB/s
最大写入速度:300 MB/s
擦写寿命:3000次
GA1206Y682KBXBT31G采用了先进的NAND闪存技术,具备以下特点:
1. 高速数据传输:通过PCIe Gen3x4接口实现超快的读写性能,适合对速度要求较高的应用。
2. 大容量存储:提供128GB的大容量选项,适用于需要大量数据存储的应用场景。
3. 耐用性强:其擦写寿命达到3000次,确保在频繁使用情况下仍能保持稳定性能。
4. 广泛的工作温度范围:从-40°C到+85°C,适应多种恶劣环境条件。
5. 低功耗设计:优化了能耗表现,延长了设备的电池续航时间。
6. 稳定性与可靠性:内置错误校正码(ECC)功能,进一步提升数据存储的准确性和完整性。
该芯片适用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如工业控制器、医疗设备等。
2. 消费电子产品:包括智能手机、平板电脑、智能手表等。
3. 数据记录设备:如行车记录仪、监控摄像头等。
4. 工业自动化:用于数据采集与存储模块。
5. 物联网(IoT)设备:为智能家居、可穿戴设备提供高效的存储解决方案。
GA1206Y682KBXBT32G, GA1206Y682KBXBT31F