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GA1206Y682JBLBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 18:09:39 查看 阅读:12

GA1206Y682JBLBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关电源和电机驱动应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力。
  这款芯片适合于要求高效率、小尺寸和高可靠性的电子系统中。其封装形式能够有效提升散热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  额定电压:60V
  额定电流:120A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  反向恢复时间:75ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y682JBLBR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速的开关速度,可减少开关损耗,非常适合高频开关应用。
  3. 高电流承载能力,使其能够在高功率条件下保持稳定运行。
  4. 优化的热性能设计,确保即使在恶劣的工作环境下也能维持良好的散热效果。
  5. 出色的短路耐受能力,进一步提升了系统的可靠性。
  6. 小型化封装,节省电路板空间的同时保证了高效的散热性能。

应用

该芯片广泛应用于多种高功率电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 新能源汽车中的 DC/DC 转换器和逆变器模块。
  4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
  5. 太阳能光伏逆变器中的功率转换电路。
  这些应用都得益于 GA1206Y682JBLBR31G 的高效能和高可靠性。

替代型号

IRFP2907,
  STP120N06,
  FDP12N60,
  IXFN120N06T2

GA1206Y682JBLBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-