GA1206Y473KXCBT31G是一款高性能的多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于高频电路和信号处理应用。该型号属于X7R介质材料系列,具有良好的温度稳定性和高容量特性。它采用表面贴装技术(SMT),适合自动化生产线使用,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
该电容器设计紧凑,能够在有限的空间内提供稳定的电容值,同时具备低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感),以满足现代电子设备对电源滤波和去耦的需求。
电容值:4.7μF
额定电压:6.3V
尺寸代码:1206
公差:±10%
温度范围:-55℃ to +125℃
介质材料:X7R
封装类型:SMD
工作温度下的电容变化:±15%
GA1206Y473KXCBT31G具有以下显著特性:
1. 高稳定性:X7R介质材料保证了在宽温度范围内电容值的变化较小,适用于要求严格的环境条件。
2. 小型化设计:1206封装尺寸使其非常适合空间受限的应用场景。
3. 低损耗:由于采用了先进的制造工艺,该电容器表现出极低的ESR和ESL,有助于提高整体电路效率。
4. 良好的频率响应:即使在高频条件下,也能保持稳定的性能表现。
5. 高可靠性:通过严格的质量控制流程生产,确保长时间使用的稳定性。
该型号电容器广泛应用于各种电子设备中,例如:
1. 消费电子产品:智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电源管理模块和信号调理电路。
2. 通信设备:基站、路由器和其他无线通信系统中的滤波和耦合电路。
3. 工业控制:电机驱动器、PLC控制器以及其他工业自动化设备中的去耦和储能电路。
4. 汽车电子:车载信息娱乐系统、传感器接口以及电源调节电路中的关键元件。
GA1206Y473KXCBT32G
GA1206Y473KXCBT33G
GRM31CR61E474KA01D