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GA1206Y394JXXBR31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:02:07 查看 阅读:25

GA1206Y394JXXBR31G 是一款高性能的功率半导体器件,主要用于开关电源、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备高效率和低损耗的特点,适用于需要高可靠性和稳定性的应用场景。
  这款芯片通常用于要求快速开关速度和低导通电阻的应用场合,能够显著提高系统的整体性能和效率。

参数

类型:功率MOSFET
  封装:TO-247
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):3.5Ω
  总功耗(Ptot):250W
  工作温度范围(Ta):-55℃至+150℃
  栅极电荷(Qg):85nC

特性

GA1206Y394JXXBR31G 具有以下关键特性:
  1. 高耐压能力:可承受高达1200V的漏源电压,适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻:仅为3.5Ω,有助于减少导通损耗并提升效率。
  3. 快速开关速度:优化的栅极设计确保了较低的开关损耗。
  4. 高可靠性:通过多种严格的测试流程,确保在恶劣环境下的长期稳定性。
  5. 紧凑封装:TO-247封装提供了良好的散热性能和电气连接性。
  6. 宽工作温度范围:能够在-55℃至+150℃的温度范围内稳定工作,适应各种极端条件。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管,提供高效能量转换。
  2. 电机驱动:用于逆变器电路中,实现对电机的精确控制。
  3. 工业自动化:为各类工业设备提供可靠的功率控制解决方案。
  4. 新能源系统:例如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
  5. 电动车及充电桩:用于电力电子变换器,以支持大功率充电需求。

替代型号

IRGB1406PBF
  FDP12N120
  CSD18570KTT

GA1206Y394JXXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.39 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-