时间：2025/5/13 16:16:19
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GA1206Y393JBABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为 LFPAK88，这种封装能够提供优异的散热性能和电气特性，非常适合要求苛刻的应用场景。
类型：MOSFET
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：105nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：LFPAK88
GA1206Y393JBABR31G 提供了非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
此外，该器件的高开关速度使其能够在高频应用中保持较低的开关损耗。
其坚固的设计和宽广的工作温度范围确保了在各种环境条件下的可靠运行。
LFPAK88 封装进一步增强了散热能力，使得该器件适用于高功率密度的设计。
该 MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动、工业自动化设备以及电动汽车相关的电力电子系统。
由于其大电流处理能力和高频性能，它特别适合需要高效功率转换的场合。
此外，它还被用于负载切换、逆变器设计以及其他需要快速响应和低损耗的电力控制场景。
GA1206Y393JBAR31G
