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GA1206Y332MXABR31G 发布时间 时间:2025/5/21 20:29:13 查看 阅读:6

GA1206Y332MXABR31G 是一款高性能的电源管理芯片,主要用于直流-直流转换应用。该芯片集成了多种保护机制和高效能设计,能够在宽输入电压范围内提供稳定的输出电压。
  该芯片采用先进的制程工艺,具备高效率、低功耗和小封装的特点,非常适合便携式设备、消费类电子产品以及工业控制等领域的应用。

参数

型号:GA1206Y332MXABR31G
  类型:电源管理芯片
  输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  输出电压范围:可调(0.8V 至 3.3V)
  输出电流:高达 3A
  开关频率:2MHz
  封装形式:QFN-16 (3mm x 3mm)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  待机电流:1uA 典型值
  效率:高达 95%
  使能引脚:支持

特性

GA1206Y332MXABR31G 具有以下主要特性:
  1. 内置功率 MOSFET,减少外部元件数量,简化电路设计。
  2. 支持可编程软启动功能,降低浪涌电流对系统的影响。
  3. 提供过流保护、短路保护和过温保护,确保在异常情况下芯片的安全运行。
  4. 高效 PWM 控制模式,提升整体转换效率。
  5. 超低静态电流设计,延长电池供电设备的续航时间。
  6. 小尺寸封装,适合空间受限的应用场景。
  7. 内部补偿网络,简化设计流程并提高稳定性。

应用

GA1206Y332MXABR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子设备,如智能手机和平板电脑。
  2. 可穿戴设备,例如智能手表和健康追踪器。
  3. 工业自动化设备中的电源模块。
  4. 网络通信设备,如路由器和交换机。
  5. 物联网终端节点的电源管理系统。
  6. 电池供电的小型电子设备。

替代型号

GA1206Y332MXABR31G-A, GA1206Y332MXABR31G-B

GA1206Y332MXABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-