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GA1206Y274JBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:20:47 查看 阅读:5

GA1206Y274JBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计,能够显著降低导通电阻并提高效率。同时,其具备出色的热性能和电气特性,确保在高电流和高频应用中的稳定表现。
  该器件采用标准封装形式,具有良好的兼容性和易用性,便于工程师在各种电路设计中集成。

参数

型号:GA1206Y274JBBBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):30A
  栅极电荷(Qg):55nC
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  功耗(PD):180W
  工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y274JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强在异常情况下的耐受能力。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 优化的栅极电荷设计,降低驱动损耗。
  5. 出色的热性能,确保长时间运行时的稳定性。
  6. 强大的过流保护功能,提高了整体系统的可靠性。
  7. 宽广的工作温度范围,适应多种环境条件。

应用

这款芯片适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
  2. 电机驱动和工业自动化设备中的功率管理。
  3. 大功率 LED 驱动电路。
  4. 电信基础设施中的电源模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
  6. 各种消费类电子产品中的高效能电源解决方案。

替代型号

IRF540N
  FDP150N06L
  STP30NF06L

GA1206Y274JBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.27 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-