时间：2025/6/12 18:26:38
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GA1206Y273MXCBR31G 是一款高性能的存储芯片，主要用于工业级和企业级应用。该芯片属于 NAND Flash 类型，采用先进的制造工艺，具有高密度、高速度和低功耗的特点。它支持多种接口协议，并且在数据完整性和可靠性方面表现出色，适用于需要频繁读写操作的应用场景。
这款芯片的设计使其能够在极端温度范围内稳定运行，同时提供强大的错误校正功能以确保数据的准确性。
容量：256GB
接口类型：PCIe NVMe
工作电压：1.8V
最大读取速度：2400 MB/s
最大写入速度：1800 MB/s
擦写次数：3000次
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA
I/O 引脚数：96
GA1206Y273MXCBR31G 提供卓越的性能表现，特别是在随机读写能力上，这使得它非常适合应用于服务器、数据中心以及嵌入式系统中。其内置的 ECC（错误检查与纠正）引擎能够检测并修复单比特错误，从而提高数据可靠性。
此外，该芯片还具备断电保护机制，在突发断电情况下可以有效减少数据丢失风险。
为了适应不同客户的需求，这款芯片支持灵活的分区管理，用户可以根据实际需求配置不同的区域用于存储不同类型的数据。同时，它的低功耗设计有助于降低整体系统的能耗，这对于便携式设备尤为重要。
GA1206Y273MXCBR31G 主要应用于以下领域：
1. 工业控制设备中的数据记录与存储。
2. 企业级服务器和存储阵列。
3. 高性能计算环境下的缓存解决方案。
4. 嵌入式系统的固态硬盘。
5. 车载信息娱乐系统中的持久性存储单元。
6. 医疗成像设备及其他对数据完整性要求较高的场合。
GA1206Y272MXCBR31G
GA1206Y274MXCBR31G
GA1206Y275MXCBR31G
