时间：2025/6/19 11:04:01
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ZRB157R61E225KE11D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于高效率开关电源、电机驱动以及逆变器等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低系统功耗并提升整体效能。
此型号属于增强型 N 沟道 MOSFET 类别，具备出色的热稳定性和电气特性，适合在高温及高负载条件下运行。其封装设计优化了散热性能，便于集成到复杂电路中。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：25A
导通电阻：157mΩ
栅极电荷：95nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
ZRB157R61E225KE11D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少传导损耗。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
3. 快速开关特性，支持高频操作以减小磁性元件体积。
4. 内置 ESD 保护功能，提高了抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 稳定的动态性能，确保在各种工况下的高效表现。
这些特性使得该芯片非常适合用于工业级和消费级电子产品的功率转换与管理。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电动工具、家用电器中的电机控制驱动。
3. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
4. DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
5. 各类电池充电管理系统。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
由于其卓越的性能，ZRB157R61E225KE11D 在需要高效功率处理的场合表现出色。
ZRB157R61E225HE11D, IRFP260N, STP30NF06L
