您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206Y273JXABR31G

GA1206Y273JXABR31G 发布时间 时间:2025/5/27 16:54:57 查看 阅读:10

GA1206Y273JXABR31G 是一款高性能的功率放大器芯片,专为无线通信应用设计。该芯片基于先进的 GaAs 工艺制造,具有高增益、高效率和低噪声的特点。其工作频率范围广泛,适用于多种射频和微波通信系统。通过优化的设计结构,这款芯片能够在高频条件下提供稳定的输出功率,并且具备出色的线性度表现。
  此外,GA12ABR31G 集成了匹配网络和其他功能模块,能够有效简化电路设计并减少外部元件数量。这使得它成为便携式设备和基站等应用场景的理想选择。

参数

型号:GA1206Y273JXABR31G
  工作频率范围:800 MHz 至 3.8 GHz
  输出功率:35 dBm(典型值)
  增益:15 dB(典型值)
  电源电压:5 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN 5x5 mm
  线性度(OIP3):+40 dBm(典型值)
  插入损耗:≤ 0.5 dB(典型值)

特性

1. 高效率设计,能够在高频段维持较高的功率转换效率。
  2. 内置匹配网络,减少了对外部元件的需求,从而缩小了整体电路尺寸。
  3. 支持多频段操作,满足不同无线通信标准的要求。
  4. 出色的热性能,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 小型化封装,非常适合空间受限的应用场景。
  6. 提供良好的线性度,有助于降低信号失真并提高通信质量。

应用

1. 无线基础设施中的射频功率放大器,如蜂窝基站和中继站。
  2. 便携式无线通信设备,包括对讲机和个人移动终端。
  3. 车载通信系统及卫星通信领域。
  4. WiMAX 和 LTE 等新一代宽带无线接入技术。
  5. 测试测量仪器中作为信号源或驱动级放大器使用。

替代型号

GA1206Y273JXABR29F, GA1206Y273JXABR30H

GA1206Y273JXABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-