时间：2025/6/16 14:15:43
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CL31C392JBFNNNE 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的封装技术，确保在高温、高压环境下仍能保持稳定性能。它通常用于开关电源、DC-DC 转换器以及无线充电等应用中。
这款 GaN 晶体管相较于传统硅基 MOSFET 提供了更低的导通电阻和更快的开关速度，从而显著提升系统整体效率并减少热损耗。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：39A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：55nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
CL31C392JBFNNNE 的主要特性包括高耐压能力（高达 600V），能够承受较高负载条件下的电压波动；低导通电阻（仅 40mΩ）减少了导通时的能量损耗，提高了整体效率；同时具备快速开关特性，开关频率可达到 MHz 级别，非常适合高频电源转换应用。
此外，该器件还具有出色的热稳定性，在极端温度范围内均能保持性能一致，这对于工业和汽车环境尤为重要。其内置的保护机制进一步增强了产品的可靠性，例如过流保护和短路耐受功能。
该芯片广泛应用于多种电力电子领域，如服务器电源、通信设备电源、电动汽车车载充电器、太阳能逆变器等需要高效功率转换的地方。
在消费类电子产品中，CL31C392JBFNNNE 可用于快速充电器，提供更高的充电效率和更小的体积；在工业控制领域，可用于电机驱动和不间断电源系统（UPS）。此外，它也适用于航空航天及国防领域的高性能电源解决方案。
CL31C382KBFNNNE, CL31C402GBFNNNE
