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GA1206Y273JBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:05:40 查看 阅读:23

GA1206Y273JBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)生产流程,同时提供了出色的散热性能。

参数

型号:GA1206Y273JBBBT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  VDS(漏源极耐压):120V
  RDS(on)(导通电阻):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  IDS(持续漏极电流):60A
  PD(功耗):200W
  VGS(栅源极电压):±20V
  fSW(最大工作频率):500kHz
  封装:TO-263(D2PAK)

特性

GA1206Y273JBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),可有效降低导通损耗并提升整体效率。
  2. 高开关速度设计,适用于高频应用场合,减少开关损耗。
  3. 强大的电流处理能力,支持高达 60A 的连续漏极电流。
  4. 良好的热性能,确保在高功率环境下稳定运行。
  5. 具备强大的抗静电能力(ESD),提高可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
  该芯片结合了高效能与可靠性,非常适合用于各种高功率电子系统中。

应用

GA1206Y273JBBBT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和功率因数校正电路(PFC)。
  2. 电机驱动控制,例如直流无刷电机(BLDC)和步进电机驱动器。
  3. 汽车电子设备中的负载切换和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率转换部分。
  凭借其卓越的性能和可靠性,这款 MOSFET 成为许多高要求应用场景的理想选择。

替代型号

GA1206Y272JBBBT31G, IRFZ44N, FDP18N12B

GA1206Y273JBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-