GA1206Y273JBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)生产流程,同时提供了出色的散热性能。
型号:GA1206Y273JBBBT31G
类型:N沟道增强型MOSFET
VDS(漏源极耐压):120V
RDS(on)(导通电阻):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
IDS(持续漏极电流):60A
PD(功耗):200W
VGS(栅源极电压):±20V
fSW(最大工作频率):500kHz
封装:TO-263(D2PAK)
GA1206Y273JBBBT31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),可有效降低导通损耗并提升整体效率。
2. 高开关速度设计,适用于高频应用场合,减少开关损耗。
3. 强大的电流处理能力,支持高达 60A 的连续漏极电流。
4. 良好的热性能,确保在高功率环境下稳定运行。
5. 具备强大的抗静电能力(ESD),提高可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
该芯片结合了高效能与可靠性,非常适合用于各种高功率电子系统中。
GA1206Y273JBBBT31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和功率因数校正电路(PFC)。
2. 电机驱动控制,例如直流无刷电机(BLDC)和步进电机驱动器。
3. 汽车电子设备中的负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率转换部分。
凭借其卓越的性能和可靠性,这款 MOSFET 成为许多高要求应用场景的理想选择。
GA1206Y272JBBBT31G, IRFZ44N, FDP18N12B