FDS8936-NL是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN33-8封装形式。该器件主要应用于需要高效能、低导通电阻的场合。其优异的开关特性和低漏电流性能使其在多种功率转换和负载开关应用中表现出色。
这款MOSFET适合于便携式电子设备、电池供电系统、DC/DC转换器以及电机驱动等场景。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:4.5A
导通电阻:12mΩ
栅源开启电压:2.5V
工作结温范围:-55℃至150℃
封装形式:PDFN33-8
FDS8936-NL具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少功率损耗并提高效率。
2. 较低的栅极电荷量(Qg),有助于实现快速开关,从而降低开关损耗。
3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件的鲁棒性。
4. 小型PDFN33-8封装,节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特性使FDS8936-NL成为众多低电压、大电流应用的理想选择。
FDS8936-NL适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
3. USB充电端口保护。
4. 电机驱动电路中的功率开关。
5. DC/DC转换器中的功率级开关元件。
由于其低导通电阻和高效率,这款MOSFET在各类消费电子及工业产品中得到了广泛应用。
FDS8935NL, FDMC8820