时间：2025/6/18 17:16:39
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GA1206Y224MBXBT31G 是一款高性能的存储芯片，主要应用于嵌入式系统、消费电子及工业控制等领域。该芯片采用先进的制程工艺，具备高密度存储容量和低功耗特性。其设计结构支持快速数据存取与可靠的擦写能力，适用于需要大容量数据存储且对能耗敏感的应用场景。
该型号通常集成了多种功能模块，例如错误校正码（ECC）、数据保护机制以及优化的接口协议，确保在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
类型：NAND Flash
存储容量：128GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
工作温度范围：-25℃ 至 +85℃
数据保存时间：10年
擦写寿命：3000次
GA1206Y224MBXBT31G 的一大特点是采用了 3D NAND 技术，相较于传统平面 NAND 结构，能够在更小的空间内实现更高的存储密度。此外，它还支持多级单元（MLC）架构，进一步提升单位面积内的存储容量。
在性能方面，该芯片提供高达 400MB/s 的顺序读取速度和 200MB/s 的顺序写入速度，同时具备出色的随机读写能力，适合处理多媒体文件和大量数据流。
为了增强数据完整性，芯片内置了 ECC 引擎，能够自动检测并修复位错误，从而减少因硬件故障导致的数据丢失风险。其低功耗模式允许设备在待机或轻负载时节省电能，延长电池驱动产品的续航时间。
该产品兼容主流控制器方案，便于开发者进行系统集成，并且通过了严格的可靠性测试，包括高温老化、振动冲击等条件下的验证，确保长期使用中的稳定性。
这款芯片广泛用于各类电子设备中，如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、行车记录仪、监控摄像头、无人机以及其他需要非易失性存储介质的产品。
在工业领域，GA1206Y224MBXBT31G 可以作为数据记录器的核心组件，用于保存关键日志信息；在医疗设备中，则可用于存储患者数据和诊断图像。此外，它也适用于物联网终端节点，为边缘计算提供本地存储支持。
GA1206Y224MBXAT31G
GA1206Y224MBXCT31G
GA1206Y224MBXDT31G
