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GA1206Y222MXJBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 20:37:58 查看 阅读:10

GA1206Y222MXJBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并在高频开关条件下保持较低的功耗。

参数

型号:GA1206Y222MXJBR31G
  类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):22mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷(Qg):38nC(典型值)
  开关时间:ton=9ns,toff=15ns(典型值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y222MXJBR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),可显著降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下正常运行。
  4. 高耐压能力,支持高达 120V 的漏源电压。
  5. 小封装尺寸,便于 PCB 布局设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 直流电机驱动和控制。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 电信和网络设备中的电源模块。

替代型号

GA1206Y222MXJBR28G
  IRFZ44N
  FQP18N12
  STP12NF06

GA1206Y222MXJBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-