GA1206Y222MXJBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并在高频开关条件下保持较低的功耗。
型号:GA1206Y222MXJBR31G
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):120V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):22mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg):38nC(典型值)
开关时间:ton=9ns,toff=15ns(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA1206Y222MXJBR31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),可显著降低导通损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下正常运行。
4. 高耐压能力,支持高达 120V 的漏源电压。
5. 小封装尺寸,便于 PCB 布局设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 直流电机驱动和控制。
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. LED 照明驱动电路。
6. 电信和网络设备中的电源模块。
GA1206Y222MXJBR28G
IRFZ44N
FQP18N12
STP12NF06