时间：2025/5/13 16:09:03
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GA1206Y184KXABR31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。该芯片主要用于需要大容量数据存储的应用场景，例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘、记忆卡等。其设计注重高可靠性和快速的数据读写能力，适用于工业和消费级电子设备。
这款芯片采用先进的制程工艺制造，能够提供较高的存储密度和较低的功耗。它支持多种接口标准，并且具备纠错功能以确保数据完整性。
容量：128Gb
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压Vcc：1.8V ± 0.1V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：WSON
数据传输速率：最高可达 200MT/s
GA1206Y184KXABR31G 的主要特性包括以下几点：
1. 高存储密度：单颗芯片即可实现大容量存储，适合对空间有限制的应用。
2. 快速性能：支持高速数据传输，能够满足现代设备对于快速响应的需求。
3. 可靠性强：内置 ECC（错误检查与纠正）功能，可以有效提升数据存储的可靠性。
4. 低功耗设计：通过优化电路结构，在保证性能的同时降低功耗，延长电池续航时间。
5. 广泛的工作温度范围：适应从极寒到高温的各种环境条件，增强了产品的适用性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为主存储介质，提供高效的数据存储解决方案。
2. 移动存储设备：如 USB 闪存盘和记忆卡，用于便携式数据存储。
3. 工业控制设备：为嵌入式系统提供可靠的非易失性存储功能。
4. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑等需要大容量存储的设备。
GA1206Y184KXACR31G
GA1206Y184KXBBR31G
