时间：2025/8/5 22:56:15
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IXFX210N30X3是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高效率应用设计。该器件采用TO-264封装，适用于工业电机控制、电源转换、UPS系统以及电动汽车充电系统等高功率应用场景。IXFX210N30X3具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力（Vds）以及优异的热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：300V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：210A
导通电阻（Rds(on)）：最大值11.5mΩ
功耗（Pd）：500W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-264
晶体管极性：N沟道
输入电容（Ciss）：约4800pF
短路耐受能力：有
IXFX210N30X3是一款高性能功率MOSFET，其主要特性之一是低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件的导通电阻最大值为11.5mΩ，远低于许多同类产品，从而在大电流应用中显著减少功率损耗。
此外，IXFX210N30X3具备高达300V的漏源击穿电压（Vds），使其适用于多种中高压功率转换系统。该MOSFET可承受高达210A的连续漏极电流（Id），满足高功率密度设计的需求。同时，其±20V的栅源电压耐受能力确保在各种驱动条件下具有良好的稳定性和可靠性。
该器件采用TO-264封装形式，具备良好的散热性能，能够有效应对高功率应用中的热挑战。其最大功耗为500W，进一步增强了其在高温环境下的运行能力。IXFX210N30X3的工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在严苛环境下使用，如工业自动化、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）及电机驱动器等。
该MOSFET还具备一定的短路耐受能力，提高了系统在异常工况下的安全性。其输入电容（Ciss）约为4800pF，有助于优化开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。IXYS公司在该器件的设计中采用了先进的沟槽栅技术，进一步提升了其导通性能和热稳定性。
IXFX210N30X3适用于多种高功率电子系统，包括但不限于工业电机驱动器、逆变器、直流电源转换器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及电焊机等功率电子设备。由于其低导通电阻和高电流承载能力，它特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。在工业自动化和机器人控制系统中，IXFX210N30X3可作为功率开关元件，用于控制大功率负载。此外，在电动汽车充电系统中，该MOSFET可用于DC-DC变换器或电池管理系统中的功率控制部分。其高耐压特性也使其成为高压电源转换器的理想选择。
IXFN210N30X3, IXFN220N30X3, STY210N30X3, FDBL210N30X3
