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GA1206Y184JXABT31G 发布时间 时间:2025/5/29 19:24:17 查看 阅读:16

GA1206Y184JXABT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要用于射频通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够提供高增益、高效率和低失真的性能表现。
  这款芯片适用于多种无线通信系统,包括蜂窝基站、微波链路和雷达等应用。其出色的线性度和稳定性使其成为设计高效射频功率放大器的理想选择。

参数

型号:GA1206Y184JXABT31G
  工作频率范围:2.5 GHz 至 3.5 GHz
  输出功率:40 dBm
  增益:15 dB
  效率:50%
  电源电压:28 V
  静态电流:2 A
  封装形式:LCC-32
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1206Y184JXABT31G 芯片具有以下显著特点:
  1. 高输出功率:在 2.5 GHz 至 3.5 GHz 的频率范围内,可实现高达 40 dBm 的输出功率。
  2. 高增益:芯片提供稳定的 15 dB 增益,减少对外部放大级的需求。
  3. 高效率:效率可达 50%,降低系统的散热需求。
  4. 宽带支持:覆盖多个频段,满足不同应用场景需求。
  5. 稳定性:即使在极端环境条件下也能保持良好的性能。
  6. 小型化封装:LCC-32 封装设计节省电路板空间,便于集成到紧凑型设备中。

应用

GA1206Y184JXABT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站:为 LTE 和 5G 基站提供高效的射频功率放大功能。
  2. 微波链路:用于点对点和点对多点的无线通信系统。
  3. 雷达系统:适合军事和民用雷达应用,提供强大的信号放大力度。
  4. 无线基础设施:如中继站、塔顶放大器和其他射频相关设备。
  5. 工业与科学仪器:需要高功率射频信号源的场合。

替代型号

GA1206Y184JXABT32G, GA1207Y184JXABT31G

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GA1206Y184JXABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-