您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206Y183KXJBT31G

GA1206Y183KXJBT31G 发布时间 时间:2025/6/6 16:58:35 查看 阅读:5

GA1206Y183KXJBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业自动化等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,适合大规模自动化生产。
  该器件能够在高频条件下保持较低的功耗,同时具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力,使其成为众多高效能应用的理想选择。

参数

型号:GA1206Y183KXJBT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源电压(Vdss):60V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1206Y183KXJBT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频开关应用。
  3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  4. 强大的过流保护功能,确保在异常条件下芯片的安全性。
  5. 小型化设计,便于在紧凑型电路板中使用。
  6. 符合RoHS环保标准,支持绿色电子产品开发。
  这些特性使得该芯片特别适合于DC-DC转换器、逆变器、电动工具以及汽车电子等领域的应用。

应用

GA1206Y183KXJBT31G主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 工业控制设备中的电机驱动。
  3. 汽车电子系统,例如电动助力转向(EPS)和刹车系统。
  4. 高效能LED照明驱动电路。
  5. 通信电源模块及不间断电源(UPS)。
  由于其出色的电气性能和环境适应能力,这款MOSFET成为了许多关键任务应用中的首选解决方案。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP16N60C

GA1206Y183KXJBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-