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GA1206Y154JXXBR31G 发布时间 时间:2025/5/21 9:08:39 查看 阅读:2

GA1206Y154JXXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,适用于各种高效率、高频开关电源应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适合用于DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电机驱动等场景。
  该芯片的主要特点是其优化的栅极电荷设计,能够显著降低开关损耗,并提高系统的整体效率。此外,它还具有良好的热稳定性和可靠性,确保在恶劣环境下的长期使用。

参数

型号:GA1206Y154JXXBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-263 (DPAK)
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):60A
  Qg(栅极电荷):38nC
  fsw(最大工作频率):1MHz
  结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1206Y154JXXBR31G 提供了出色的性能,包括但不限于以下特点:
  1. 低导通电阻:典型值仅为4.5mΩ,可有效减少导通损耗。
  2. 快速开关能力:栅极电荷仅为38nC,有助于降低开关损耗。
  3. 高电流承载能力:支持高达60A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  4. 良好的热性能:采用TO-263封装,提供高效的散热路径。
  5. 宽工作温度范围:能够在-55°C至+175°C的环境下稳定运行。
  6. 可靠性高:经过严格测试,符合工业级标准,确保长时间可靠运行。

应用

GA1206Y154JXXBR31G 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS):
   - DC-DC转换器
   - AC-DC适配器
  2. 电机驱动:
   - 工业自动化设备中的电机控制
   - 电动车及家用电器的电机驱动
  3. 充电器:
   - 笔记本电脑充电器
   - 手机快充模块
  4. 能量存储系统:
   - 太阳能逆变器
   - 电池管理系统(BMS)
  5. 汽车电子:
   - 电动汽车中的DC-DC转换
   - 辅助电源模块
  该芯片凭借其优异的性能和可靠性,成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

GA1206Y154JXXBR29G, GA1206Y154JXXBR30G

GA1206Y154JXXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.15 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-