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GA1206Y153MBLBT31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:33:22 查看 阅读:21

GA1206Y153MBLBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,在导通电阻、开关速度和耐压性能方面表现出色。其封装形式为TO-263(DPAK),具有良好的散热性能和电气特性,适用于高效率和高密度的电力电子设计。

参数

型号:GA1206Y153MBLBT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ (典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):175W
  工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263 (DPAK)

特性

GA1206Y153MBLBT31G具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效能电源转换应用。
  3. 高电流承载能力,满足大功率负载需求。
  4. 强大的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 具备优秀的抗雪崩能力和静电防护性能,提高器件的鲁棒性。
  这些特性使得该芯片成为工业控制选择。

应用

GA1206Y153MBLBT31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. DC-DC转换器中的功率开关。
  4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  由于其卓越的性能和可靠性,这款芯片在各类电力电子设备中均表现出色。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06
  FDP5500

GA1206Y153MBLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-