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GA1206Y152KXCBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:15:40 查看 阅读:9

GA1206Y152KXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。
  其封装形式紧凑,适合需要高功率密度的设计,同时具备良好的电磁兼容性和稳定性。

参数

型号:GA1206Y152KXCBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1206Y152KXCBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达40A的持续漏极电流,适用于大功率应用。
  3. 快速开关性能,减少了开关损耗,特别适合高频开关电源设计。
  4. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,简化散热设计需求。
  6. 内置保护功能,增强器件在异常工作条件下的安全性。

应用

该芯片的主要应用场景包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 负载切换和保护电路中的关键组件。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统的功率管理部分。
  6. 汽车电子领域中的电池管理系统和电机控制器。

替代型号

GA1206Y152KXCBR32G, IRFZ44N, FDP5800

GA1206Y152KXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-