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GA1206Y124JXCBT31G 发布时间 时间:2025/5/29 18:04:53 查看 阅读:8

GA1206Y124JXCBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高耐压能力,适用于工业、汽车和消费电子领域中的多种应用场景。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够有效提升散热性能,并确保在高频工作条件下的稳定性和可靠性。

参数

型号:GA1206Y124JXCBT31G
  类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  漏源极电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):15nC(最大值)
  总功耗(Ptot):160W
  工作温度范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-263(D2PAK)

特性

GA1206Y124JXCBT31G 提供了出色的电气性能和可靠性,适合各种严苛的工作环境。
  主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),可显著降低导通损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷 Qg,从而减少了开关损耗。
  3. 高度稳定的动态性能,在高频工作条件下表现优异。
  4. 宽泛的工作温度范围,使其能够在极端环境下正常运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 优化的热设计,支持更高的功率密度和更长的使用寿命。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于多个领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率管理。
  5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
  6. 各种电池充电器和适配器中的保护与控制功能。

替代型号

GA1206Y124JXCBT29G
  IRFZ44N
  STP80NF06L

GA1206Y124JXCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.12 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-