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GA1206Y123KBABR31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:29:36 查看 阅读:7

GA1206Y123KBABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种工业和消费类电子设备。
  该型号属于沟道型 MOSFET,具体设计参数使其非常适合要求高效能和低功耗的应用场景。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  总功耗(Ptot):240W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y123KBABR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 1.5mΩ,能够显著降低功率损耗并提高效率。
  2. 支持高达 120A 的连续漏极电流,适合大电流应用环境。
  3. 高开关速度和低栅极电荷,可实现快速切换,减少开关损耗。
  4. 工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 +175℃,适用于极端环境下的运行。
  5. 提供强大的热性能和电气稳定性,确保长期可靠工作。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代化设计中。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和逆变器电路。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。
  5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的功率管理系统。
  6. 高效 LED 驱动器和负载开关。
  其卓越的性能和可靠性使它成为许多高功率密度应用的理想选择。

替代型号

GA1206Y123KBABR28G, IRF1405ZPBF, FDP150AN6S

GA1206Y123KBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-