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GA1206Y122MXXBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:14:17 查看 阅读:16

GA1206Y122MXXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用而设计。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特性,适合应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式和引脚布局经过优化,能够有效降低寄生电感,从而提高整体系统的性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:2.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:典型值 12ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y122MXXBR31G 具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关速度和低栅极电荷,有助于减少开关损耗。
  3. 高温稳定性,能够在极端环境条件下保持优异的性能。
  4. 小型化封装设计,节省 PCB 布局空间。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片的抗静电能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

这款功率 MOSFET 主要适用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  4. LED 照明驱动器中的功率级控制。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关。
  由于其高效的特性和稳健的设计,该芯片非常适合对能量密度和热管理要求较高的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP5800, AO3400

GA1206Y122MXXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-