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GA1206Y122MXJBT31G 发布时间 时间:2025/6/6 17:00:46 查看 阅读:4

GA1206Y122MXJBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于增强型 N 沟道器件。该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
  该型号的功率晶体管能够在高频工作条件下保持高效的性能表现,同时具有出色的耐受能力和可靠性,非常适合工业及消费类电子产品的应用需求。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻(典型值):120mΩ
  栅极电荷:50nC
  开关时间(开启/关闭):10ns/15ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206Y122MXJBT31G 的主要特点是其低导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高效率。此外,它还拥有快速的开关速度,从而降低开关损耗,并且支持高频操作。芯片设计中采用了优化的封装技术,以确保良好的散热性能和电气隔离能力。
  此功率晶体管具有较高的抗雪崩能力和静电防护能力,可提升系统的整体稳定性与可靠性。此外,该型号符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

这款 MOSFET 主要应用于需要高效功率转换的场合,例如开关电源中的同步整流、DC-DC 转换电路中的开关元件、LED 驱动器以及电池管理系统的保护电路等。
  由于其出色的性能和可靠性,GA1206Y122MXJBT31G 还可以用于汽车电子设备中的负载切换、电机控制以及其他高要求的工业应用环境。

替代型号

IRFZ44N
  STP12NK6LL
  FQP18N12

GA1206Y122MXJBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-