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TTD65N04AT 发布时间 时间:2025/7/2 11:11:00 查看 阅读:9

TTD65N04AT是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于需要高效能和可靠性的电子设备。
  这款MOSFET的额定电压为40V,能够承受较高的漏源极电压,同时具备大电流处理能力,确保在各种应用场景下的稳定运行。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:65A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:37nC
  开关时间:ton=19ns, toff=27ns
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

TTD65N04AT具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高整体效率。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗,提升系统性能。
  4. 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠工作。
  5. 紧凑的封装设计,节省PCB空间,便于布局和散热管理。

应用

TTD65N04AT适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
  5. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。

替代型号

IRFZ44N, STP75NF06L, FDP5500

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