GA1206A8R2DXEBC31G 是一款高性能的存储芯片,属于 DDR4 SDRAM 系列。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有高速度、低功耗和高稳定性的特点,适用于需要大容量数据存储和快速访问的应用场景。
DDR4(Double Data Rate 4)是第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器标准,相较于前几代产品,DDR4 提供了更高的传输速度和更低的工作电压,从而显著提高了系统的整体性能和能效。
类型:SDRAM
标准:DDR4
容量:8Gb
组织方式:x8
工作电压:1.2V
数据速率:2666Mbps
封装形式:BGA
引脚数:78-ball
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装材料:无铅
GA1206A8R2DXEBC31G 具有以下主要特性:
1. 高速数据传输:支持高达 2666Mbps 的数据速率,能够满足现代计算设备对高速数据处理的需求。
2. 低功耗设计:工作电压为 1.2V,相较于 DDR3 的 1.5V,大幅降低了能耗。
3. 改进的信号完整性:通过引入差分时钟和训练模式等技术,显著提高了信号完整性和系统稳定性。
4. 增强的 ECC 功能:内置错误检查与纠正功能,有效提升了数据的可靠性和准确性。
5. 环保材料:采用无铅封装材料,符合 RoHS 标准,有助于环境保护。
GA1206A8R2DXEBC31G 广泛应用于以下领域:
1. 服务器和工作站:提供大容量内存支持,满足高性能计算需求。
2. 台式机和笔记本电脑:提升系统的响应速度和多任务处理能力。
3. 工业控制设备:在工业环境中实现稳定的数据存储和处理。
4. 网络通信设备:如路由器、交换机等,提供高效的数据缓冲和转发能力。
5. 嵌入式系统:用于各种嵌入式应用场景,例如医疗设备、汽车电子等。
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