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CS20N65FA9H 发布时间 时间:2025/8/2 0:35:06 查看 阅读:31

CS20N65FA9H 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及各种高功率电子设备中。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性,能够在高频率下高效工作。CS20N65FA9H 通常封装在TO-220或TO-263等功率封装中,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±30V
  最大连续漏极电流(Id):20A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.22Ω(最大)
  功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220/TO-263

特性

CS20N65FA9H 的核心优势在于其出色的导通性能和耐压能力。其导通电阻Rds(on)最大为0.22Ω,这使得在高电流工作条件下,MOSFET的导通损耗大大降低,从而提高了系统的整体效率。此外,650V的高耐压能力使其适用于多种高电压应用,例如工业电源、UPS系统和电机驱动器。
  该器件采用了先进的平面制造工艺,具有良好的热稳定性,在高负载情况下仍能保持稳定的性能。其最大功耗为125W,配合良好的散热设计可以实现长时间的高负载运行。此外,CS20N65FA9H 的栅极驱动电压范围较宽,支持±30V的最大栅源电压,增强了其在不同驱动电路中的兼容性。
  该MOSFET还具备快速开关特性,能够支持高频工作,从而减小外围电路的体积和重量,提高系统的功率密度。同时,其内部结构优化了短路耐受能力,提高了在异常工作条件下的可靠性。

应用

CS20N65FA9H 主要应用于各类功率转换设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、马达控制电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及LED照明驱动电源等。由于其高耐压和低导通电阻特性,该器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为出色。例如,在高频开关电源中,CS20N65FA9H 能够有效降低开关损耗,提高整体能效;在逆变器系统中,它可以提供稳定的高压开关性能,确保系统运行的稳定性与安全性。此外,它也适用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器等新能源领域的关键功率开关元件。

替代型号

STP20N65FA, FQA20N65FA, IRFPG50, FDPF6N60

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