GA1206A8R2BXCBP31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 存储器系列。该型号采用先进的工艺制程,具备高可靠性和大容量的特点,适用于需要高速数据读写和稳定性能的场景。其主要用途包括嵌入式设备、固态硬盘(SSD)、消费电子及工业控制等领域。
该芯片内部集成了多级单元(MLC)或三级单元(TLC)技术,以实现更高的存储密度和更低的成本。此外,它支持多种接口标准,如 ONFI 或 Toggle Mode,从而适应不同的系统架构需求。
容量:128GB
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压:2.7V 至 3.6V
数据传输速率:最高400MT/s
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写寿命:3000次(MLC)
页面大小:16KB
块大小:2MB
GA1206A8R2BXCBP31G 的设计注重高效能与低功耗。其主要特性如下:
1. 支持高速数据传输,适用于对速度要求较高的应用环境。
2. 内置 ECC(错误检查和纠正)引擎,有效提升数据可靠性。
3. 具备智能坏块管理功能,可自动检测并屏蔽不良存储区域。
4. 提供强大的省电模式,降低整体能耗。
5. 兼容多种主流控制器方案,便于集成到各种系统中。
6. 高度可靠的擦写循环次数,延长产品使用寿命。
7. 工作温度范围广,适合恶劣环境下使用。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品,例如智能手机、平板电脑和数码相机。
2. 嵌入式系统,如路由器、网络存储设备等。
3. 固态硬盘(SSD),作为主要存储介质。
4. 工业控制设备,用于数据记录和存储。
5. 车载信息系统,提供稳定的数据存储解决方案。
6. 医疗设备,确保关键数据的安全性和完整性。
GA1206A8R2BXCBP30G
GA1206A8R2BXCBP32G
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