GA1206A821KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提升了效率并降低了功耗。
这款芯片适用于工业、汽车以及消费电子领域,能够承受高电压和大电流的工作环境。
型号:GA1206A821KBABT31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压Vds:1200V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:6A
导通电阻Rds(on):1.4Ω(在Vgs=10V时)
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
封装形式:TO-247
GA1206A821KBABT31G具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻,减少了功率损耗。
3. 快速开关性能,提高了工作效率。
4. 优异的热稳定性,在高温环境下依然保持良好的性能。
5. 提供了出色的雪崩能力和抗静电能力,增强了系统的可靠性。
6. 具备较低的输入电容,使得驱动更加容易。
该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的DC-DC转换模块。
6. LED照明驱动电路中的开关元件。
IRFP460, STP12NM60, FQA16N120C