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GA1206A821KBABT31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:14:52 查看 阅读:9

GA1206A821KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提升了效率并降低了功耗。
  这款芯片适用于工业、汽车以及消费电子领域,能够承受高电压和大电流的工作环境。

参数

型号:GA1206A821KBABT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:1200V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:6A
  导通电阻Rds(on):1.4Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A821KBABT31G具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻,减少了功率损耗。
  3. 快速开关性能,提高了工作效率。
  4. 优异的热稳定性,在高温环境下依然保持良好的性能。
  5. 提供了出色的雪崩能力和抗静电能力,增强了系统的可靠性。
  6. 具备较低的输入电容,使得驱动更加容易。

应用

该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的DC-DC转换模块。
  6. LED照明驱动电路中的开关元件。

替代型号

IRFP460, STP12NM60, FQA16N120C

GA1206A821KBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-