时间：2025/8/23 0:33:01
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G1000LM250是一种高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下提供卓越的性能和可靠性。其采用先进的硅技术制造，具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、电动汽车和工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：1000A（在TC=25℃）
漏源击穿电压（BVDSS）：250V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2mΩ
最大功耗（PD）：3200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：双排多引脚封装（如TO-264、DDPAK或定制封装）
G1000LM250具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具有非常高的电流承载能力，在1000A的漏极电流下仍能保持稳定工作，适用于高功率密度设计。此外，G1000LM250具有优异的热管理能力，其封装设计能够有效散热，确保长时间运行的稳定性和可靠性。
该MOSFET的高击穿电压（250V）使其适用于多种中高电压应用场景，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。G1000LM250还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，适用于严苛的工业和汽车环境。
G1000LM250广泛应用于需要高功率密度和高效能转换的电子系统中。典型应用包括电动汽车（EV）车载充电器、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制器、工业电源、太阳能逆变器以及高功率LED照明系统。由于其优异的电气性能和热稳定性，该器件也非常适合用于高频率开关电路和需要高可靠性的电源管理系统。
IXFN1000N250P3, APT1000M250BD, STY100N250M5
