时间：2025/6/5 22:27:06
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GA1206A821FBABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制造工艺，广泛用于功率转换和电源管理应用中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适合需要高效能和高可靠性的场景。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备较高的电流承载能力和良好的散热特性，适用于工业、消费电子以及汽车电子领域。
型号：GA1206A821FBABR31G
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大连续漏极电流(Id)：82A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：47nC
输入电容(Ciss)：2950pF
工作温度范围：-55°C to +175°C
封装形式：TO-263(D2PAK)
GA1206A821FBABR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，能够满足高频开关应用需求。
3. 高额定电流能力，支持大功率负载。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代设计要求。
6. 强大的雪崩能量承受能力，增强了器件的鲁棒性。
该元器件适用于以下应用场景：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器中的功率开关。
4. 汽车电子系统的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 太阳能逆变器中的功率处理单元。
GA1206A821FBABR29G, IRF840, STP80NF06
