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GA1206A821FBABR31G 发布时间 时间:2025/6/5 22:27:06 查看 阅读:7

GA1206A821FBABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制造工艺,广泛用于功率转换和电源管理应用中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,适合需要高效能和高可靠性的场景。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),具备较高的电流承载能力和良好的散热特性,适用于工业、消费电子以及汽车电子领域。

参数

型号:GA1206A821FBABR31G
  类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大连续漏极电流(Id):82A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷(Qg):47nC
  输入电容(Ciss):2950pF
  工作温度范围:-55°C to +175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

GA1206A821FBABR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,能够满足高频开关应用需求。
  3. 高额定电流能力,支持大功率负载。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代设计要求。
  6. 强大的雪崩能量承受能力,增强了器件的鲁棒性。

应用

该元器件适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC 转换器中的功率开关。
  4. 汽车电子系统的功率管理模块。
  5. 工业自动化设备中的负载切换。
  6. 太阳能逆变器中的功率处理单元。

替代型号

GA1206A821FBABR29G, IRF840, STP80NF06

GA1206A821FBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-