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NCD5701B 发布时间 时间:2025/7/22 10:16:37 查看 阅读:4

NCD5701B是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高压高侧栅极驱动器,专为驱动功率MOSFET和IGBT而设计。该芯片适用于需要高耐压和高可靠性的应用场合,如电机控制、电源转换、逆变器以及工业自动化系统。NCD5701B采用高压绝缘封装技术,能够承受高达600V的工作电压,并具备良好的抗噪能力和短路保护功能,确保系统在严苛环境下的稳定运行。

参数

型号: NCD5701B
  类型: 高侧栅极驱动器
  工作电压: 15V 至 20V
  输出电压耐压: 最高600V
  输出电流能力: 高达1.5A(峰值)
  输入信号类型: TTL/CMOS兼容
  工作温度范围: -40°C 至 +150°C
  封装类型: SOIC-16

特性

NCD5701B具有多项保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、过流保护和短路保护,有效防止功率器件在异常情况下损坏。
  该驱动器的输入与TTL和CMOS电平兼容,便于与微控制器或PWM控制器连接,实现快速而精确的开关控制。
  芯片内置的高边浮动电源供电技术,使其能够适用于半桥或全桥拓扑结构,支持高压功率器件的驱动应用。
  采用SOIC-16封装,具备良好的散热性能和高压隔离能力,适用于高噪声和高电压环境。
  其驱动能力强,能够提供高达1.5A的峰值电流,确保功率MOSFET或IGBT快速导通和关断,从而减少开关损耗并提高系统效率。
  此外,NCD5701B还具有高共模抑制比(CMR)和低传播延迟特性,保证在高速开关操作下的信号完整性。

应用

NCD5701B广泛应用于各种功率电子系统中,如工业电机驱动、伺服控制器、无刷直流电机(BLDC)控制、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。
  在电机控制系统中,它用于驱动高压侧的功率MOSFET或IGBT,实现高效的电机调速和方向控制。
  在电源转换设备中,该芯片可用于构建半桥或全桥拓扑结构,提升DC-AC或DC-DC转换效率。
  由于其高可靠性和抗干扰能力,NCD5701B也常用于恶劣工业环境中,如工厂自动化设备、机器人控制系统和高精度伺服驱动器。
  此外,它在新能源领域如光伏逆变器和储能系统中也发挥着重要作用,确保高压功率器件的稳定驱动。

替代型号

NCD57001, NCP5106, IR2110, FAN7380

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