NCD5701B 时间：2025/7/22 10:16:37 阅读：10

NCD5701B是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高压高侧栅极驱动器，专为驱动功率MOSFET和IGBT而设计。该芯片适用于需要高耐压和高可靠性的应用场合，如电机控制、电源转换、逆变器以及工业自动化系统。NCD5701B采用高压绝缘封装技术，能够承受高达600V的工作电压，并具备良好的抗噪能力和短路保护功能，确保系统在严苛环境下的稳定运行。

参数

型号: NCD5701B
　　类型: 高侧栅极驱动器
　　工作电压: 15V 至 20V
　　输出电压耐压: 最高600V
　　输出电流能力: 高达1.5A（峰值）
　　输入信号类型: TTL/CMOS兼容
　　工作温度范围: -40°C 至 +150°C
　　封装类型: SOIC-16

特性

NCD5701B具有多项保护功能，包括欠压锁定（UVLO）、过流保护和短路保护，有效防止功率器件在异常情况下损坏。
　　该驱动器的输入与TTL和CMOS电平兼容，便于与微控制器或PWM控制器连接，实现快速而精确的开关控制。
　　芯片内置的高边浮动电源供电技术，使其能够适用于半桥或全桥拓扑结构，支持高压功率器件的驱动应用。
　　采用SOIC-16封装，具备良好的散热性能和高压隔离能力，适用于高噪声和高电压环境。
　　其驱动能力强，能够提供高达1.5A的峰值电流，确保功率MOSFET或IGBT快速导通和关断，从而减少开关损耗并提高系统效率。
　　此外，NCD5701B还具有高共模抑制比（CMR）和低传播延迟特性，保证在高速开关操作下的信号完整性。

应用

NCD5701B广泛应用于各种功率电子系统中，如工业电机驱动、伺服控制器、无刷直流电机（BLDC）控制、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。
　　在电机控制系统中，它用于驱动高压侧的功率MOSFET或IGBT，实现高效的电机调速和方向控制。
　　在电源转换设备中，该芯片可用于构建半桥或全桥拓扑结构，提升DC-AC或DC-DC转换效率。
　　由于其高可靠性和抗干扰能力，NCD5701B也常用于恶劣工业环境中，如工厂自动化设备、机器人控制系统和高精度伺服驱动器。
　　此外，它在新能源领域如光伏逆变器和储能系统中也发挥着重要作用，确保高压功率器件的稳定驱动。