时间：2025/7/10 16:02:54
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GA1206A820KXCBC31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用场景。该器件采用了先进的 GaN 工艺技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而能够显著提升系统效率并减少散热需求。
相比传统的硅基 MOSFET，这款芯片在高频应用中表现出更高的性能和更低的能耗。其封装形式经过优化，可以支持表面贴装工艺，便于大规模自动化生产。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：6A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：45nC
开关频率：高达5MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可降低传导损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 内置保护功能，如过流保护和短路保护。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
5. 高可靠性，满足工业级及汽车级应用要求。
6. 出色的热管理能力，确保长期稳定运行。
7. 支持宽范围输入电压，适应多种电源场景。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 无线充电发射端功率放大器。
4. 快速充电适配器的关键组件。
5. 电动工具中的高效驱动电路。
6. 新能源领域中的逆变器和转换器模块。
7. 数据中心电源系统的高性能解决方案。
GAN063-650WSA
GAN063-650WSB
Infineon CoolGaN IPD60R060P7G
