GA1206A820JBBBR31G 是一款由 Greenchip(已被安森美半导体收购)生产的高压功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、LED驱动器和其他高效率电力转换应用。该器件采用DPAK封装形式,具备出色的导通电阻和开关性能,能够显著降低系统能耗并提升整体效率。
该型号中的具体参数编码表明其额定电压为 650V,导通电阻相对较低,适合高频开关应用场景。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:8.2A
导通电阻:450mΩ
栅极电荷:18nC
开关速度:快速
封装形式:DPAK (TO-252)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
GA1206A820JBBBR31G 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:支持高达 650V 的漏源电压,适用于各种高压应用环境。
2. 低导通电阻:典型值为 450mΩ,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
3. 快速开关性能:优化的栅极电荷设计,确保了高效的开关操作,并减少了开关损耗。
4. 小型化封装:采用 DPAK 封装,节省 PCB 空间,同时提供良好的散热性能。
5. 高可靠性:经过严格测试,能够在极端温度范围内稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准:环保设计,满足国际法规要求。
GA1206A820JBBBR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):包括适配器、充电器等产品中的功率转换电路。
2. LED 驱动器:用于恒流或恒压控制的高效 LED 照明解决方案。
3. 电机驱动:在小型电机控制中提供精确的功率调节。
4. 工业电源:如 UPS、逆变器等设备中的核心功率元件。
5. 消费类电子:电视、显示器等需要高效率电源管理的产品。
GA1206A820JBBBR31G 的替代型号包括:
NCP1206A820JBBBR31G
FQA8N65C
IRF840
STP8NC65E