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GA1206A820GBEBR31G 发布时间 时间:2025/6/17 9:00:48 查看 阅读:4

GA1206A820GBEBR31G是一款高性能的存储芯片,属于DDR4 SDRAM类型。该芯片专为需要高带宽和低功耗的应用场景设计,广泛应用于服务器、台式机、笔记本电脑以及其他高性能计算设备中。其采用先进的制程工艺制造,能够提供稳定的数据传输性能和较低的能耗。
  该型号的具体命名规则包含了关于容量、速度、封装形式以及工作环境等信息,确保在不同应用环境下具备高度可靠性。

参数

类型:DDR4 SDRAM
  容量:8Gb (1GB)
  电压:1.2V
  数据速率:2666 Mbps
  引脚数:78 BGA
  封装形式:BGA
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  I/O标准:SSTL 1.2
  刷新模式:自动刷新

特性

GA1206A820GBEBR31G具有高数据传输速率,支持高达2666Mbps的速度,确保快速处理大量数据的能力。
  该芯片采用低功耗设计,运行电压为1.2V,显著降低能耗,非常适合对能效有严格要求的设备。
  其采用了BGA(球栅阵列)封装技术,这种封装方式不仅减少了芯片尺寸,还提高了信号完整性与散热性能。
  此外,这款芯片内置了多种错误检测功能,例如CRC校验和奇偶校验,从而增强了数据的可靠性和稳定性。
  工作温度范围从-40°C至+85°C,适应各种恶劣的工作环境,保证长时间使用的稳定性。

应用

GA1206A820GBEBR31G适用于各类高性能计算领域,包括但不限于:
  1. 台式计算机和笔记本电脑的内存扩展。
  2. 数据中心和服务器系统中的高速缓存。
  3. 工业控制设备和嵌入式系统。
  4. 图形工作站和高性能计算平台。
  5. 网络通信设备如路由器和交换机的数据缓冲。

替代型号

GA1206A820GBEBR31M
  MT8DFA1G8HB-2G6A1
  IS42S16800J-266B

GA1206A820GBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容82 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-