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GA1206A820FBABT31G 发布时间 时间:2025/6/6 12:13:49 查看 阅读:4

GA1206A820FBABT31G 是一款高性能的存储芯片,通常用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片属于 NAND Flash 类型,采用先进的制造工艺,具备高速读写能力和低功耗特性。其主要功能是为各类电子设备提供可靠的非易失性存储解决方案,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
  该型号的命名规则包含了多个参数信息,如容量、封装形式、工作温度范围等。具体来说,这款芯片支持多级单元(MLC)或三级单元(TLC)技术,以实现更高的存储密度。

参数

容量:128GB
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V ± 0.1V
  数据传输速率:最高可达400MB/s
  封装形式:BGA
  工作温度:-25°C 至 +85°C
  擦写寿命:3000次(典型值,取决于具体使用条件)

特性

GA1206A820FBABT31G 具有以下显著特性:
  1. 高速数据传输能力,适合需要快速读写的应用场景。
  2. 支持多种纠错算法(ECC),有效提升数据可靠性。
  3. 内置磨损均衡技术,延长存储器使用寿命。
  4. 提供强大的坏块管理功能,确保稳定的数据存储性能。
  5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,非常适合便携式设备。
  6. 支持多种电源管理选项,有助于降低整体功耗。
  7. 兼容性强,可与主流主控芯片无缝连接。
  这些特点使得该芯片成为众多嵌入式系统和移动设备的理想选择。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑的内部存储扩展。
  2. 固态硬盘(SSD)和其他存储设备的核心组件。
  3. 工业自动化设备中的数据记录模块。
  4. 车载信息系统和导航设备的数据存储单元。
  5. 数字摄像头及监控系统的高速缓存和存储部分。
  6. 可穿戴设备和其他对尺寸和功耗要求严格的电子产品。
  通过结合其高性能和可靠性,GA1206A820FBABT31G 成为现代电子设备中不可或缺的一部分。

替代型号

GA1206A820FBABT31H, GA1206A820FBABT31J

GA1206A820FBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容82 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-